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元スレCELL
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おいおい何をもってAtom以下なんだ?
未だに目的に応じた使い方わけの出来ない奴がいるんだ?
Cellはプログラマの能力で差が大きくなるところが、
いい面でもあったが、それには他のハードの進化が速すぎて、
結局面倒なことをやらなければ性能が出ないということが、
GPUに比べ伸びなかった原因だと思う。
また特定の分野であれば未だに速いこともあるので、
5年前のチップとしては大したものだよ。
未だに目的に応じた使い方わけの出来ない奴がいるんだ?
Cellはプログラマの能力で差が大きくなるところが、
いい面でもあったが、それには他のハードの進化が速すぎて、
結局面倒なことをやらなければ性能が出ないということが、
GPUに比べ伸びなかった原因だと思う。
また特定の分野であれば未だに速いこともあるので、
5年前のチップとしては大したものだよ。
Cの理想は「write once, build for anywhere」だから。
time.hが使えないだとか16バイトアラインメント半強制だとか
つまらないコードの書き直しを強いるプロセッサが
Noを叩きつけられるのは至極当然
time.hが使えないだとか16バイトアラインメント半強制だとか
つまらないコードの書き直しを強いるプロセッサが
Noを叩きつけられるのは至極当然
理想がどうあれ、現実はそうじゃないだろ。
x86だってfarポインタだのなんだのって糞使用を追加してたじゃないか。
x86だってfarポインタだのなんだのって糞使用を追加してたじゃないか。
まああれだ、汎用プロセッサ&処理系たりうるには
./configure
make
sudo make install
で一発おkでなければならん
SSEを使うだとかそんなものは時間的余裕があって初めてやればいい
./configure
make
sudo make install
で一発おkでなければならん
SSEを使うだとかそんなものは時間的余裕があって初めてやればいい
>>355
おいぃ?組込じゃわりとよくあるんだが?
おいぃ?組込じゃわりとよくあるんだが?
食い込み系が汎用チップなわけがないな。
てかPG単価的にむしろ食い込み系のほうがゲームより圧倒的に食えるんだがゲーム業界のCellプログラマってどうなんだろう
Cellは家電分野に食い込めなかったね。
てかPG単価的にむしろ食い込み系のほうがゲームより圧倒的に食えるんだがゲーム業界のCellプログラマってどうなんだろう
Cellは家電分野に食い込めなかったね。
>>361
そこまで説明していて自明なのが分からないかなあ。
PS2はGSが配線不要なんだから、1つにまとめてもチップの外の配線があまり変わらないだろ。
PS3は1つにまとめると凄いことになるだろ。
かといって、GPUとCPUでメインRAM共有にしちゃうと競合する。
今だってお互いにアクセス可能だけれど、RAMが2つに別れている理由は分かるよな?
CPUだけ速くなっても仕方が無いんだよ。
そこまで説明していて自明なのが分からないかなあ。
PS2はGSが配線不要なんだから、1つにまとめてもチップの外の配線があまり変わらないだろ。
PS3は1つにまとめると凄いことになるだろ。
かといって、GPUとCPUでメインRAM共有にしちゃうと競合する。
今だってお互いにアクセス可能だけれど、RAMが2つに別れている理由は分かるよな?
CPUだけ速くなっても仕方が無いんだよ。
>>364
> 今だってお互いにアクセス可能だけれど、RAMが2つに別れている理由は分かるよな?
ソニーの技術力が足りないから一つに纏められなかっただけだろ?
まともな企業であるMSが開発したXBOX360は一つに纏めてあるし。
> 今だってお互いにアクセス可能だけれど、RAMが2つに別れている理由は分かるよな?
ソニーの技術力が足りないから一つに纏められなかっただけだろ?
まともな企業であるMSが開発したXBOX360は一つに纏めてあるし。
>>341
つかRSXは1.8TFLOPS(笑)相当だろ。Cell 32コア程度じゃ全然足りねーよ。
つか、何のアクセラレータも備えてないSPEで圧縮テクスチャ展開ルーチンを
ソフトで実装したところで100GFLOPSもでねーと思うよ。
単なるSIMD型ユニットである以上の機能は備えてないからな
つかRSXは1.8TFLOPS(笑)相当だろ。Cell 32コア程度じゃ全然足りねーよ。
つか、何のアクセラレータも備えてないSPEで圧縮テクスチャ展開ルーチンを
ソフトで実装したところで100GFLOPSもでねーと思うよ。
単なるSIMD型ユニットである以上の機能は備えてないからな
RAMのスピード云々以前にクアッドCellでRSXエミュなんてのがありえん。
バンド幅に関してはCell+RSXでも50GB/s程度だから今時めずらしくもない数字だわな。
ワンチップ化しないなら技術よりお金の問題。
バンド幅に関してはCell+RSXでも50GB/s程度だから今時めずらしくもない数字だわな。
ワンチップ化しないなら技術よりお金の問題。
久夛良木は当時3Dなんていう用途があると思ってたのかな
将来もしかしたら普及するかもしれない3Dに、アップデートだけで対応できるように
これだけの演算能力にしたってことならすごいかもしれない
将来もしかしたら普及するかもしれない3Dに、アップデートだけで対応できるように
これだけの演算能力にしたってことならすごいかもしれない
せかにゅ:「PSP2はタッチ対応でデュアルカメラ、4コアCell」のうわさ
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/1005/18/news109.html
http://www.itmedia.co.jp/news/articles/1005/18/news109.html
PPE 無しの SpursEngine みたいなのなら、検討された可能性は無くはない。
採用される可能性は疑問だけど。
採用される可能性は疑問だけど。
クロック周波数にもよる。
今の最新の技術でSpursEngineみたいな低クロックだったらあるいは載る事があるかも知れない。
でも、1GHzx4とか言われてもねえ。
今の最新の技術でSpursEngineみたいな低クロックだったらあるいは載る事があるかも知れない。
でも、1GHzx4とか言われてもねえ。
んなこたーない。
NVIDIAのGPUなんて、微妙にシュリンクして低消費電力版として出荷しているくらいだ。
NVIDIAのGPUなんて、微妙にシュリンクして低消費電力版として出荷しているくらいだ。
言われてみれば、ゲートの充放電電流なんかが減るから
全体的に減るのかも。でもPSPみたいな携帯機器は待機時のリーク電流のが問題なきがする
全体的に減るのかも。でもPSPみたいな携帯機器は待機時のリーク電流のが問題なきがする
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/kaigai/20090821_309940.html
CellB.E.の中でかなりの比率を占めるSRAMセルコアに対して、電源電圧(Vdd)とは別なSRAM電圧(Vcs)が供給された。
従来は、SRAMセルアレイにもVddが供給されていたが、65nm版からはデュアル電圧化された。
これにはどんな効用があるかというと、SRAMの安定性を保ちながらリーク電流(Leakage)を減らし、かつSRAMの
パフォーマンスを高めることができる。これまでは、SRAMが不安定になるためにVddを一定以下に下げることが難しかった。
しかし、VddとVcsを分離したことで、SRAMの安定性を損なわずにVddを下げることが可能になった。
↓
東芝、電源電圧30%減の32ナノ世代対応LSIを試作
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720100209eaaf.html
東芝は8日、電源電圧を従来比30%減の0・7ボルトにする32ナノメートル世代プロセス対応のLSIを
試作したと発表した。低電圧化の課題だったSRAMの動作不良を防ぐ新回路技術を開発し、SRAMの
不良率を1万分の1に減らした。LSIの消費電力は電源電圧の2乗に比例するため、低電圧化で消費電力は
ほぼ半減できる見込み。ISSCCで10日に発表する。
開発した回路技術は、SRAM内部の信号電位を最適に制御し、不良率を減らす手法。これで設計効率を
大幅に改善した。
メモリーセル当たりの素子数を増やして動作を安定させる既存の手法は、セル面積が増大するなど
課題があった。
動作アシスト技術と呼ばれるSRAMの性能を高める方式を導入し、負の電位を生成する動作を自動で
決める仕組みを考案した。
CellB.E.の中でかなりの比率を占めるSRAMセルコアに対して、電源電圧(Vdd)とは別なSRAM電圧(Vcs)が供給された。
従来は、SRAMセルアレイにもVddが供給されていたが、65nm版からはデュアル電圧化された。
これにはどんな効用があるかというと、SRAMの安定性を保ちながらリーク電流(Leakage)を減らし、かつSRAMの
パフォーマンスを高めることができる。これまでは、SRAMが不安定になるためにVddを一定以下に下げることが難しかった。
しかし、VddとVcsを分離したことで、SRAMの安定性を損なわずにVddを下げることが可能になった。
↓
東芝、電源電圧30%減の32ナノ世代対応LSIを試作
http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720100209eaaf.html
東芝は8日、電源電圧を従来比30%減の0・7ボルトにする32ナノメートル世代プロセス対応のLSIを
試作したと発表した。低電圧化の課題だったSRAMの動作不良を防ぐ新回路技術を開発し、SRAMの
不良率を1万分の1に減らした。LSIの消費電力は電源電圧の2乗に比例するため、低電圧化で消費電力は
ほぼ半減できる見込み。ISSCCで10日に発表する。
開発した回路技術は、SRAM内部の信号電位を最適に制御し、不良率を減らす手法。これで設計効率を
大幅に改善した。
メモリーセル当たりの素子数を増やして動作を安定させる既存の手法は、セル面積が増大するなど
課題があった。
動作アシスト技術と呼ばれるSRAMの性能を高める方式を導入し、負の電位を生成する動作を自動で
決める仕組みを考案した。
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