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元スレ【次世代HDD】SSD 4台目【メインニナッテキタ?】
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>>547
その時点で論外なんだよ、SSDの信頼性の低さを物語ってる
ファームウェアのバグだってそう、海門がどれだけ騒がれたか
もしもHDDでファームアップでデータ消失なんてなったら大変なことになる
まあ俺はSSDはそういうものだと割り切って使ってるけど、
全体に普及させるのはまだ大変だなあって思う
その時点で論外なんだよ、SSDの信頼性の低さを物語ってる
ファームウェアのバグだってそう、海門がどれだけ騒がれたか
もしもHDDでファームアップでデータ消失なんてなったら大変なことになる
まあ俺はSSDはそういうものだと割り切って使ってるけど、
全体に普及させるのはまだ大変だなあって思う
HDDもメモリもハードウエア性能が決定的にパフォーマンス決めるけど
SSDはソフトウエアの重要性が大きいということなんだな
ファームが進歩すればまだまだ劇的に性能向上するんだろうな
SSDはソフトウエアの重要性が大きいということなんだな
ファームが進歩すればまだまだ劇的に性能向上するんだろうな
良くわからなくなったらこの世のSSDを全部調べつくすといいよ
最終的にたどり着くのは東芝だが
最終的にたどり着くのは東芝だが
東芝のは確実に5年以上データを保存できるセルの消耗度の時点でリードオンリーになってデータを保護するが、
それ以外のメーカーのはNANDが消耗しきった状態でも書き込めちゃうから、そういう状態で放置するとデータ化けするよ。
例のテストでもずっと前にメディア消耗指数がカンストしてるでしょ
それ以外のメーカーのはNANDが消耗しきった状態でも書き込めちゃうから、そういう状態で放置するとデータ化けするよ。
例のテストでもずっと前にメディア消耗指数がカンストしてるでしょ
>>569
なんという妄想
酷過ぎる
>東芝のは確実に5年以上データを保存できるセルの消耗度の時点でリードオンリーになってデータを保護する
3年(1年の可能性もあり)以上データを保存できる消耗度は3000~5000回だが、
例の東芝SSDのセルは最低でも15000回書き込まれてるから、それは100%ありえない。
WAを考慮すると30000回を超えててもおかしくない。
東芝がリードオンリーモードに移行するのは予備領域を使い果たした時だが、
これはIntelではE8「利用可能な予備領域」が0になったときにあたる。
メディア消耗指標ではない。
なんという妄想
酷過ぎる
>東芝のは確実に5年以上データを保存できるセルの消耗度の時点でリードオンリーになってデータを保護する
3年(1年の可能性もあり)以上データを保存できる消耗度は3000~5000回だが、
例の東芝SSDのセルは最低でも15000回書き込まれてるから、それは100%ありえない。
WAを考慮すると30000回を超えててもおかしくない。
東芝がリードオンリーモードに移行するのは予備領域を使い果たした時だが、
これはIntelではE8「利用可能な予備領域」が0になったときにあたる。
メディア消耗指標ではない。
http://www.anandtech.com/show/4010/kingston-ssdnow-v-plus-100-review/8
こっちのほうが数値が細かくていいよ
こっちのほうが数値が細かくていいよ
>>570
なんという妄想
酷過ぎる
> 43nmプロセスのMLC NANDフラッシュが値を保持できる期間についても尋ねたが「40℃の高温下で、多数の書き換えを行なって劣化したセルでも5年以上。
>書き換え回数が少ないフレッシュなセルなら数十年、おそらく100年以上ではないか。劣化したセルでも常温なら10年以上は確実に値を失わない。
>5年以上の値保持を確実に保証することを前提に開発している」(西川氏)と、問題ないことを強調する。
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2009/0225/mobile444.htm
それに君は何か勘違いしているようだが、
> 「我々も43nmであることは公開していますが、プロセスの細かなスペックや使用している材料は公開していません。他社も同じです。
>言い換えれば、そこに差別化要因があります。DRAMと同じく設備産業で不安定な事業と言われますが、DRAMよりも差別化できる要素は多く、
>また技術を持っている会社も少ないため、DRAMよりはずっとビジネスとして安定しています」(西川氏)。
とあるように同じプロセスルールでもメーカーが違えば全然別物だし、メーカーが同じでもMLCやeMLCという区分があるようにグレードや製造時期によっても
違う。同じプロセスルールならどのメーカーでも全く同じ性質という訳じゃないんだよ。
IntelのX25-Vの耐久テストを見ればわかるように190TBを書き込んだ時点でメディア消耗指数はとっくに1まで低下し、
その後書き込み速度もかなり低下している。(新品でも東芝より遅いが)
このこのような状態では長期間データを保持するにはかなり厳しい状態だな。
>>573
それはJMicronだね。SSDNow V+シリーズは東芝、SSDNow Vシリーズは30GB以外はJMicronだよ。
なんという妄想
酷過ぎる
> 43nmプロセスのMLC NANDフラッシュが値を保持できる期間についても尋ねたが「40℃の高温下で、多数の書き換えを行なって劣化したセルでも5年以上。
>書き換え回数が少ないフレッシュなセルなら数十年、おそらく100年以上ではないか。劣化したセルでも常温なら10年以上は確実に値を失わない。
>5年以上の値保持を確実に保証することを前提に開発している」(西川氏)と、問題ないことを強調する。
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2009/0225/mobile444.htm
それに君は何か勘違いしているようだが、
> 「我々も43nmであることは公開していますが、プロセスの細かなスペックや使用している材料は公開していません。他社も同じです。
>言い換えれば、そこに差別化要因があります。DRAMと同じく設備産業で不安定な事業と言われますが、DRAMよりも差別化できる要素は多く、
>また技術を持っている会社も少ないため、DRAMよりはずっとビジネスとして安定しています」(西川氏)。
とあるように同じプロセスルールでもメーカーが違えば全然別物だし、メーカーが同じでもMLCやeMLCという区分があるようにグレードや製造時期によっても
違う。同じプロセスルールならどのメーカーでも全く同じ性質という訳じゃないんだよ。
IntelのX25-Vの耐久テストを見ればわかるように190TBを書き込んだ時点でメディア消耗指数はとっくに1まで低下し、
その後書き込み速度もかなり低下している。(新品でも東芝より遅いが)
このこのような状態では長期間データを保持するにはかなり厳しい状態だな。
>>573
それはJMicronだね。SSDNow V+シリーズは東芝、SSDNow Vシリーズは30GB以外はJMicronだよ。
>>575
東芝43nmは5年保証だったんか。それは知らなかったな。
そこだけは訂正しよう。
それ以外の部分については全て訂正しない。
以下東芝の技術者、しかも現場の人のインタビュー記事より引用
http://www.dosv.jp/other/0910/10.htm
>安全のために弊社のSSDは、あらかじめ準備された予備エリアがなくなり、
>実際に書き込める容量がドライブ公表値を下回る寸前になった場合には、
>リードオンリーモードに移行するようになっています
したがって、「確実に5年以上データを保存できるセルの消耗度の時点でリードオンリーになって
データを保護する>>569」というのは100%間違っている。
東芝がリードオンリーモードに移行するのは予備領域を使い果たした時だが、
これはIntelではE8「利用可能な予備領域」が0になったときにあたる。
メディア消耗指標ではない。
また、君は書き込み速度が遅くなることが信頼性を損なっている証拠だと独自理論を述べてるが、
それは果たして本当なのだろうか?それを示す証拠は果たしてあるんだろうか?
>また、データの保持期間を短くしてよいという条件なら、NAND型フラッシュメモリ単体の
>リード/ライト速度を上げることもできます」(菅野氏)という話も興味深い。
>「データを確実に保持するという意味での精度を上げようとすると、リード/ライト速度は遅くなります」
以上から、君の想像は妄想と呼ぶにふさわしいくらい根本から完璧に間違っていることが示された。
好き嫌いに捉われず、ちゃんと現実を見つめられるよう努力してくれ。
東芝43nmは5年保証だったんか。それは知らなかったな。
そこだけは訂正しよう。
それ以外の部分については全て訂正しない。
以下東芝の技術者、しかも現場の人のインタビュー記事より引用
http://www.dosv.jp/other/0910/10.htm
>安全のために弊社のSSDは、あらかじめ準備された予備エリアがなくなり、
>実際に書き込める容量がドライブ公表値を下回る寸前になった場合には、
>リードオンリーモードに移行するようになっています
したがって、「確実に5年以上データを保存できるセルの消耗度の時点でリードオンリーになって
データを保護する>>569」というのは100%間違っている。
東芝がリードオンリーモードに移行するのは予備領域を使い果たした時だが、
これはIntelではE8「利用可能な予備領域」が0になったときにあたる。
メディア消耗指標ではない。
また、君は書き込み速度が遅くなることが信頼性を損なっている証拠だと独自理論を述べてるが、
それは果たして本当なのだろうか?それを示す証拠は果たしてあるんだろうか?
>また、データの保持期間を短くしてよいという条件なら、NAND型フラッシュメモリ単体の
>リード/ライト速度を上げることもできます」(菅野氏)という話も興味深い。
>「データを確実に保持するという意味での精度を上げようとすると、リード/ライト速度は遅くなります」
以上から、君の想像は妄想と呼ぶにふさわしいくらい根本から完璧に間違っていることが示された。
好き嫌いに捉われず、ちゃんと現実を見つめられるよう努力してくれ。
>>576
なんという妄想
酷過ぎる
>5年以上の値保持を確実に保証することを前提に開発している
これは「NANDフラッシュメモリ」ではなく「SSD」についてのインタビューにおいてのコメントだよ。意味わかるかな?
ちなみにIntelによるとX25-Vの寿命は35TB。以下のP6参照。
http://www.axico.hu/partnernap2010/prezentaciok/intel.pdf
Intelが保証するのは35TBまで。そしてそれを大きく超える約190TBまではメディア消耗指数が1まで低下しなかった。素晴らしい。
しかしその後は元々遅い書き込み速度が更に低下している。この状態が健康で長期間データを保持できると言ってるのかな?
なんという妄想
酷過ぎる
そもそもセルを代替する基準やタイミングなんてものはファームウェアでいくらでも変えられるし、
メーカーの内規や方針によるってことは知ってるかな?
もしかして「セルが代替されない=セルの耐久性が高い」なんて酷すぎる妄想してない?
なんという妄想
酷過ぎる
>5年以上の値保持を確実に保証することを前提に開発している
これは「NANDフラッシュメモリ」ではなく「SSD」についてのインタビューにおいてのコメントだよ。意味わかるかな?
ちなみにIntelによるとX25-Vの寿命は35TB。以下のP6参照。
http://www.axico.hu/partnernap2010/prezentaciok/intel.pdf
Intelが保証するのは35TBまで。そしてそれを大きく超える約190TBまではメディア消耗指数が1まで低下しなかった。素晴らしい。
しかしその後は元々遅い書き込み速度が更に低下している。この状態が健康で長期間データを保持できると言ってるのかな?
なんという妄想
酷過ぎる
そもそもセルを代替する基準やタイミングなんてものはファームウェアでいくらでも変えられるし、
メーカーの内規や方針によるってことは知ってるかな?
もしかして「セルが代替されない=セルの耐久性が高い」なんて酷すぎる妄想してない?
>>578
君は、「NANDフラッシュメモリ」ではなく「SSD」が5年以上の値保持を確実に
保証することを前提に開発している、と述べたが、これは本当だろうか?
さて、君が引用した記事の当該部分を見てみよう。
>43nmプロセスのMLC NANDフラッシュが値を保持できる期間についても尋ねたが
>「40℃の高温下で、多数の書き換えを行なって劣化したセルでも5年以上。
>書き換え回数が少ないフレッシュなセルなら数十年、おそらく100年以上ではないか。
>劣化したセルでも常温なら10年以上は確実に値を失わない。
>5年以上の値保持を確実に保証することを前提に開発している」(西川氏)と、問題ないことを強調する。
記者は「43nmプロセスのMLC NANDフラッシュ」について尋ね、西川氏はこれに対して答えている。
したがってこの節はNANDフラッシュそのものの耐久性について述べているのであり、
NANDフラッシュを一つの材料として作られたSSDという製品についてではないことは明らかである。
君は自分で引用した記事をちゃんと読んだのか?
それとも日本語が読めないほど頭が悪いのか?
>ちなみにIntelによるとX25-Vの寿命は35TB
それすげー適当な数字だから。
容量が2倍/4倍の80GB/160GBモデルでも寿命が同じ数字になってることに違和感は無かった?
(まあ違和感を持てる能力が無いのだろうけど。)
>しかしその後は元々遅い書き込み速度が更に低下している。
>この状態が健康で長期間データを保持できると言ってるのかな?
健康でないと判断する根拠が一切ない。逆の根拠はすでに提示した。
この件については君はただの「感想」しか述べていない。
そんなものに誰も興味はないので、事実を述べてくれ。
しかし35TBについては英語の記事がいくらでも転がってるのに、
なんでわざわざワケワカラン言語の記事を持ってくるかねw
こういったタイプの考えることは分からない。合理性が全く無い。
君は、「NANDフラッシュメモリ」ではなく「SSD」が5年以上の値保持を確実に
保証することを前提に開発している、と述べたが、これは本当だろうか?
さて、君が引用した記事の当該部分を見てみよう。
>43nmプロセスのMLC NANDフラッシュが値を保持できる期間についても尋ねたが
>「40℃の高温下で、多数の書き換えを行なって劣化したセルでも5年以上。
>書き換え回数が少ないフレッシュなセルなら数十年、おそらく100年以上ではないか。
>劣化したセルでも常温なら10年以上は確実に値を失わない。
>5年以上の値保持を確実に保証することを前提に開発している」(西川氏)と、問題ないことを強調する。
記者は「43nmプロセスのMLC NANDフラッシュ」について尋ね、西川氏はこれに対して答えている。
したがってこの節はNANDフラッシュそのものの耐久性について述べているのであり、
NANDフラッシュを一つの材料として作られたSSDという製品についてではないことは明らかである。
君は自分で引用した記事をちゃんと読んだのか?
それとも日本語が読めないほど頭が悪いのか?
>ちなみにIntelによるとX25-Vの寿命は35TB
それすげー適当な数字だから。
容量が2倍/4倍の80GB/160GBモデルでも寿命が同じ数字になってることに違和感は無かった?
(まあ違和感を持てる能力が無いのだろうけど。)
>しかしその後は元々遅い書き込み速度が更に低下している。
>この状態が健康で長期間データを保持できると言ってるのかな?
健康でないと判断する根拠が一切ない。逆の根拠はすでに提示した。
この件については君はただの「感想」しか述べていない。
そんなものに誰も興味はないので、事実を述べてくれ。
しかし35TBについては英語の記事がいくらでも転がってるのに、
なんでわざわざワケワカラン言語の記事を持ってくるかねw
こういったタイプの考えることは分からない。合理性が全く無い。
一個忘れてた
>>578
>そもそもセルを代替する基準やタイミングなんてものはファームウェアでいくらでも変えられるし、
>メーカーの内規や方針によるってことは知ってるかな?
>もしかして「セルが代替されない=セルの耐久性が高い」なんて酷すぎる妄想してない?
そんなことは知ってるし、そんな妄想もしていないが。
そもそもそれが今の話にどう関係してくるんだ?
東芝の信頼性がIntelより優れているという君の持論の補強には全くなっていない。
正直、ID:sO/Wec91には論理的思考能力が無いと判断せざるを得ない。
>>578
>そもそもセルを代替する基準やタイミングなんてものはファームウェアでいくらでも変えられるし、
>メーカーの内規や方針によるってことは知ってるかな?
>もしかして「セルが代替されない=セルの耐久性が高い」なんて酷すぎる妄想してない?
そんなことは知ってるし、そんな妄想もしていないが。
そもそもそれが今の話にどう関係してくるんだ?
東芝の信頼性がIntelより優れているという君の持論の補強には全くなっていない。
正直、ID:sO/Wec91には論理的思考能力が無いと判断せざるを得ない。
確かに妄想というより信仰って言ったほうがいいなw
こんだけ木端微塵に自爆しても、絶対>>569の考えは変えてないぞw
こんだけ木端微塵に自爆しても、絶対>>569の考えは変えてないぞw
つまり>>589は…
まぁさすがに、東芝の社員の2chでの工作は、やりすぎだと思う。
俺も、東芝の家電レコでは、ヒドい目に遭った。
東芝のは、もう二度と買わんよ。
モノ売るなら、とりあえず壊れないモノを作れよ >東芝社員
俺も、東芝の家電レコでは、ヒドい目に遭った。
東芝のは、もう二度と買わんよ。
モノ売るなら、とりあえず壊れないモノを作れよ >東芝社員
社員かどうかは知らないけど少なくとも有能な人はこんなとこで書き込んでないw
結局寿命ってどれくらいもつの?
調べると3ヶ月しかもたないとかいう記事もあれば
180年持つとかいう記事もあったり。
それとも容量によって寿命が違う??
まだ入ってから4-5年たつ人がいないからよくわからん。ってのがあってるのかな
調べると3ヶ月しかもたないとかいう記事もあれば
180年持つとかいう記事もあったり。
それとも容量によって寿命が違う??
まだ入ってから4-5年たつ人がいないからよくわからん。ってのがあってるのかな
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